氮化鋁ALN理論熱導(dǎo)率為320W/(m·K)， 為何應(yīng)用于陶瓷中卻很難達(dá)到？

氮化鋁（AlN）作為一種先進(jìn)陶瓷材料，其理論上的熱導(dǎo)率高達(dá)320W/(m·K)，然而實(shí)際生產(chǎn)中卻難以完全達(dá)到這一數(shù)值，這背后隱藏著多重原因。

傳統(tǒng)上，大功率混合集成電路多采用Al?O?和BeO陶瓷作為基板材料。然而，Al?O?雖成本低廉，但其熱導(dǎo)率較低，且熱膨脹系數(shù)與硅材料不匹配，影響了器件的性能。另一方面，BeO盡管綜合性能卓越，但高昂的生產(chǎn)成本及劇毒性極大地限制了其廣泛應(yīng)用。因此，從性能提升、成本控制及環(huán)保需求等多維度考量，這兩種材料已難以滿足現(xiàn)代電子器件發(fā)展的需求。

氮化鋁陶瓷以其獨(dú)特的綜合性能脫穎而出，成為新一代備受矚目的材料。其高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)與損耗、優(yōu)異的電絕緣性以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)，加之無(wú)毒特性，使之成為高密度、大功率及高速集成電路基板與封裝的理想選擇。然而，氮化鋁的高熱導(dǎo)率這一顯著特性，在實(shí)際應(yīng)用中卻常因多種因素而未能充分發(fā)揮。

首要原因在于氮化鋁材料中的雜質(zhì)與缺陷。氮化鋁粉末中常含有氧、碳等雜質(zhì)元素，以及少量的金屬離子雜質(zhì)，這些雜質(zhì)在晶格中引入各種缺陷，如點(diǎn)缺陷、線缺陷等，這些缺陷會(huì)增強(qiáng)聲子的散射效應(yīng)，從而顯著降低材料的熱導(dǎo)率。特別是氧元素，由于氮化鋁易于水解和氧化，表面易形成Al?O?層，進(jìn)一步加劇了晶格中的缺陷程度。

進(jìn)一步分析，聲子的平均自由程（l）是決定材料熱導(dǎo)率的關(guān)鍵因素。在氮化鋁中，晶體的缺陷、晶界、空洞、電子以及聲子間的相互作用都會(huì)引發(fā)聲子散射，縮短聲子的平均自由程，進(jìn)而影響熱導(dǎo)率。特別是氧雜質(zhì)，不僅因其高置換可溶性易形成氧缺陷，還會(huì)在更高濃度下形成更為復(fù)雜的延展缺陷，如含氧層錯(cuò)、反演疇等，這些均顯著增加了聲子的散射截面，降低了氮化鋁的熱導(dǎo)率。

綜上所述，氮化鋁中氧雜質(zhì)及其他缺陷的存在，是導(dǎo)致其實(shí)際熱導(dǎo)率遠(yuǎn)低于理論值的主要原因。因此，在氮化鋁的制備過(guò)程中，嚴(yán)格控制原料純度，優(yōu)化燒結(jié)工藝，減少晶格缺陷，是提高氮化鋁熱導(dǎo)率的關(guān)鍵途徑。

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